判断题
P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。
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判断题 MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。
判断题 当硅表面处的少子浓度达到或大于表面多子浓度时，称表面发生了强反型。
判断题 一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。
