单项选择题

A.I/S是元素电离后形成离子,施加高电压引出加速的场所
B.B/L是施加电压加速,并对束流整形,约束并扫描的场所
C.E/S是基板设定,离子注入的场所
D.Load/Unload是基板传送进出的场所