问答题
列出Si—SiO2界面处的四种电荷，说明钠离子是属于哪一类电荷，以及这一类电荷会导致芯片出现什么问题，工艺中如何解决这一问题？
四种类型的界面电荷：可动离子电荷：Qm（C/cm2），正电荷，如Na+、K......
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问答题 试说明高压氧化技术的原理（或依据）及主要作用，并说明高低压氧化各自的控制机制和氧化层厚度的变化规律。
问答题 什么是表面反应控制？什么是扩散控制？并说明什么情况下生长过程分别为这两种控制，以及这两种控制在生长速率上呈何种反应？
问答题 根据氧化物的生长规律，试说明热氧化生长过程中的两个主要阶段，并说明它们分别位于氧化生长过程中的哪一时段，各自的生长模型和规律以及反映生长速率的参数和影响该参数的主要因素是什么？
