判断题
热氧化制备二氧化硅的质量比CVD差。
错误
判断题 CVD过程中,化学反应发生在腔室中。
判断题 CVD淀积二氧化硅薄膜不会消耗硅片自己的硅。
判断题 APCVD成膜速度快,可用于制备较厚的薄膜。