单项选择题 互补CMOS 2输入与非门和伪NMOS 2输入与非门相比，正确的表述是（）。

多项选择题 增加去耦电容可以抑制Ldi/dt效应，那么芯片内部去耦电容正确的放置方式是（）。

单项选择题 芯片中通常把电源线和地线布线成纵横交错的网格状，以降低IR drop，其原理是（）。