问答题
氯化钠晶体中生成一对肖特基缺陷需要的能量是2eV，而从玻尔－哈伯循环求得的晶格能为8eV。这两个能量值有很大差别，原因是什么？
NaCl晶体中肖特基缺陷的生成能是指激发1molNaCl到晶体表面，在内部形成1mol成对的Na+......
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填空题 实验测得在1300℃时氧化镍的电导率随平衡氧气压力而变化的关系是σ=常数·pO21/6。试根据这一实验结果推断氧化镍是（）型半导体。
填空题 ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。
问答题 比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。 （1）掺0.1mg/kg的As （2）掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al （3）掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al （4）掺1mg/kg的Al
