单项选择题 假设一反相器和两输入与非门中的器件PMOS与NMOS的尺寸比为2，最小尺寸的对称反相器的输入电容等于最小尺寸NMOS管栅电容的3倍。若该NAND门的等效电阻等于该反相器的电阻，那么它的逻辑努力（logical effort）为（）。

单项选择题 在设计大扇入电路时，可以采取多种技术来降低其电路延时，以下不是降低延时的方法是（）。

单项选择题 用CMOS管组合的两输入NAND门，若其中NMOS管的等效电阻为RN，PMOS管的等效电阻为RP，电容负载为CL，则当两输入都为高电平时其下拉传播延时可以近似为（）。