问答题
列出简化的双阱CMOS工艺流程中的主要步骤，并说明该流程的两个主要特点。
步骤：阱区离子注入；定义有源区刻蚀及在绝缘沟槽中填充氧化物；淀积及形成多晶硅层图形；......
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问答题 试说明双阱CMOS工艺中用到的主要光刻掩膜版及其作用。
问答题 试说明LOCOS和STI中淀积的衬垫氧化硅层以及场注的主要作用。
问答题 亚微米CMOS工艺采用的标准隔离技术是什么？试说明其主要工艺步骤。
