问答题
试说明LOCOS和STI中淀积的衬垫氧化硅层以及场注的主要作用。
垫养的作用：LOCOS和STI中都是作为缓冲层，用于减缓硅衬底与随后淀积的氮化硅之间的应力，改善硅与沟槽填充氧化物间的界......
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问答题 亚微米CMOS工艺采用的标准隔离技术是什么？试说明其主要工艺步骤。
问答题 试说明什么是LOCOS和它的主要作用以及该工艺的主要步骤，并说明该工艺存在的主要问题和解决方法。
问答题 试说明MOS IC中器件之间是如何隔离的，并说明器件隔离的主要作用和基本方法。
