判断题
氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
错误
判断题 MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
判断题 半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
判断题 绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。