单项选择题
下图是一个仅用NMOS传输管构成多路开关的多路开关型NMOS锁存器,在时钟的()阶段,输入D被传送到主级的输出端QM,()处于维持状态。在时钟的()阶段,从级对主级的输出端QM采样,()处于维持状态。
A.低电平,从级,高电平,主级B.低电平,主级,高电平,从级C.高电平,主级,低电平,从级D.高电平,从级,低电平,主级
单项选择题 以下哪个不是降低开关活动性的设计技术?()
单项选择题 假设一反相器和两输入与非门中的器件PMOS与NMOS的尺寸比为2,最小尺寸的对称反相器的输入电容等于最小尺寸NMOS管栅电容的3倍。若该NAND门的等效电阻等于该反相器的电阻,那么它的逻辑努力(logical effort)为()。
单项选择题 在设计大扇入电路时,可以采取多种技术来降低其电路延时,以下不是降低延时的方法是()。