填空题
热氧化制备SiO2的方法可分为四种，包括（）、（）、（）、（）。
干氧氧化；水蒸汽氧化；湿氧氧化；氢氧合成氧化
填空题 常规的硅材料抛光方式有：（）抛光，（）抛光，（）抛光等。
填空题 提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过（）、（）、（）等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。
填空题 直拉法单晶生长过程包括（）、（）、（）、（）、（）等步骤。
