问答题
解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？
质量传输限制淀积速率：淀积速率受反应物传输速度限制，即不能提供足够的反应物到衬底表面，速率对温度不敏感（如高压CVD.。......
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问答题 离子注入后为什么要退火，高温退火和快速热处理哪个更优越，为什么？
问答题 为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限？为什么现在需要高K值（介电常数）的栅介质？低K介质用在什么地方？为什么？
问答题 在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
