问答题
为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限？为什么现在需要高K值（介电常数）的栅介质？低K介质用在什么地方？为什么？
随着特征尺寸的缩小，栅氧化层越来越薄，栅极隧穿漏电流指数性增加，从而导致功耗增加。高k介质用在替代栅氧化层，提高栅氧厚度......
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问答题 在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
问答题 比较投影掩模版和光学掩模版有何异同？说明采用什么技术形成投影掩模版上的图形？
问答题 为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢－氮混合气体退火？
