判断题 低压外延反应器内压力应控制在1～20kPa。

判断题 低阻衬底上生长高阻外延层称为正向外延。

判断题 集成电路制造中，二氧化硅可以用热氧化.化学汽相沉积.原子层沉积法等方法获得。