判断题 氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。

判断题 MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

判断题 半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。