单项选择题 普通晶闸管是一种（）四层三端半导体器件，3个引出端分别为阳极A，阴极K和门极G。

判断题 小功率场效应管应注意击穿电压、最大耗散功率和漏极电流等参数。

判断题 功率VMOS场效应晶体管为多数载流子器件，开关速度快。一般低压器件开关时间为10ns数量级，高压器件为100ns数量级。适合于做高频功率开关。