判断题 对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。

判断题 标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。

判断题 从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。