单项选择题
在超大规模集成电路工艺中,一般只采用()。
A.负胶B.正胶C.光刻胶
单项选择题 光刻要求晶圆片表面存在的图案与掩膜版上的图形对准,此特性指标称为()。
单项选择题 晶圆加工的基本流程顺序为()。(1)切片(2)外形整理(3)研磨(4)倒角(5)清洗(6)抛光
单项选择题 下面哪种方式也称为湿法去胶?()