单项选择题 已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是（）型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的（）

单项选择题 已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。

单项选择题 N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。