单项选择题
对于0.25um及以下的隔离技术采用以下（）方式。
A.局部氧化隔离B.PN结隔离C.PN结-介质隔离D.浅槽隔离
单项选择题 WCVD工艺第一步是（）。
单项选择题 Liner barrier阻挡金属间扩散作用的金属是（）。
单项选择题 掺氯氧化使用的HCL是（）。
