单项选择题
NMOS源漏的掺杂类型分别为（）
A.P+、P+ B.P+，N+ C.N+，N+ D.N+，P+
单项选择题 NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。
单项选择题 在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）
单项选择题 在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）
