判断题 LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。

判断题 相同掺杂浓度下，多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。

判断题 LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。