多项选择题
下列对器件尺寸参数描述正确的有（）
A.tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定 B.L是器件的沟道长度，W是器件的宽度 C.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L D.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox
多项选择题 下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是（）
判断题 如果一个电路的最高电压是VDD，最低电压是VSS，那么NMOS器件的衬底应该接VDD。
单项选择题 下列关于MOS版图说法不正确的是（）
