问答题
拉制硅单晶时，杂质蒸发和哪些因素有关？
液体表面积大，相同时间里从液面逸出的微粒数增多。所以，液体表面越大，蒸发越快。温度升高，液体微粒运动的速度增大，能够从液......
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问答题 如何理解用正常凝固解释和计算直拉硅单晶中杂质分凝和杂质分布是成功的？
问答题 普凡方程和导出方程过程中的一些假设称为BPS模型。提出这个模型是对晶体生长理论的重大贡献，常用它解释晶体生产中的一些问题。普凡方程在推导过程中有哪三个假设？
问答题 多晶硅熔完后，无任何机械振动干扰，熔硅表面发生波动的现象，称为温度振荡，简要描述产生温度振荡的原因？
