问答题
为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
不用SF6等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。
问答题 为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？
问答题 简述ULSI对刻蚀的要求。
问答题 刻蚀有哪些参数？
