判断题
集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。
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判断题 满足双极晶体管的正常工作,需要晶体管的基区非常薄,小于少子的扩散长度才可,这样使扩散远远大于复合。
判断题 制备光刻掩膜版,希望黑白区域间的过渡区越大越好。
判断题 在紫外光曝光、X射线曝光、电子束曝光技术中可实现直写式曝光不需要掩模版的是X射线曝光技术。