单项选择题
在考虑一条简单的矩形导线放在半导体衬底上时，如果导线的宽度明显大于它与衬底之间的绝缘材料的厚度时，就可以假设电场线（）于电容极板，那么这两者之间的电容就可以用平行板电容模型来模拟，总电容可近似为（）。
A.平行；Cint=（tdi/εdi）×WLB.平行；Cint=（εdi/tdi）×WLC.垂直；Cint=（tdi/εdi）×WLD.垂直；Cint=（εdi/tdi）×WL
填空题 为了保证新器件与现有器件兼容，电压不能随意地缩放，所以恒定电场缩小模式不是一种现实可行的选择。热载流子效应和栅氧击穿这样一些物理效应，使恒定（）缩小模式不再被使用。
填空题 当晶体管的W值较小时，受窄沟道效应的影响，晶体管的阈值电压（）（填“升高”或“降低”）。
填空题 随着MOS器件尺寸的缩小，源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽，导致器件的阈值电压（）。（填“升高”或“降低”）
