判断题
干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法,湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件,例如大于3微米。
正确
判断题 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向)以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
判断题 光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
判断题 投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。