单项选择题
当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。
A.积累 B.耗尽 C.导通 D.夹断
单项选择题 在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）
单项选择题 当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）
单项选择题 耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）
