问答题
简述热生长氧化层与沉积氧化层的区别。
①结构及质量：热生长的比沉积的结构致密，质量好。②成膜温度：热生长的比沉积的温度高。可在400℃获得沉积氧化......
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问答题 简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。
问答题 简述SiO2在集成电路中的用途。
填空题 SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。
