填空题
SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。
高温；杂质；氧化硅
问答题 简述掺氯氧化工艺。
问答题 在实际的SiO2–Si系统中，存在几种电荷？
问答题 简述硅热氧化过程中有哪些阶段？
