判断题 在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。

判断题 晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。

判断题 在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。