单项选择题 下图是短沟增强型NMOS管的一阶手工分析模型的源漏电流-源漏电压关系图，L1、L2和L3三条虚线把晶体管的工作区划分为三个区域（分别用I、II、III表示），它们分别对应线性区（电阻区）、速度饱和区和饱和区。下列工作区名称对应关系正确的是（）。

多项选择题 下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有（）。

单项选择题 下图的版图中NMOS管在（）边，PMOS管在（）边。