单项选择题
P-Sub的理想MOS结构在耗尽状态时,半导体表面空间电荷区的电荷主要是(),此时半导体表面()导电。
A.电子,可以B.空穴,可以C.施主离子,不可以D.受主离子,不可以
单项选择题 MOS晶体管的()可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力,其值越(),则表示这种控制能力也越强。
单项选择题 已知Si中掺有硼杂质,且掺杂浓度为1017/cm3,则这是()型半导体,该半导体的费米能级在禁带中线的()
单项选择题 已知MOS结构的硅衬底费米势大于0,则该材料中的电子浓度()空穴浓度。