多项选择题
晶体生长大致可以分为晶核的（）两个阶段。
A.形成B.孵化C.生长D.团聚
多项选择题 降温法生长关键控制技术包括（）等。
单项选择题 膜层与基片的结合强度相比较：（）。
单项选择题 气相生长晶体的关键是（）
