问答题
完成一个阶段的版图设计后,要做那两部分的检查?
DRC和LVS检查。
问答题 启动Cadence Virtuoso软件所需的三个基本文件是什么?
问答题 简述N型MOSFET的工作原理。
问答题 室温下.本征锗的电阻率为94Ω·cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每106个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022/cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s,μp=1700cm2/V·s且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013/cm3。