填空题
半导体晶体缺陷可以分为()和微观缺陷,以及点阵应变和表面机械损伤。
宏观缺陷
填空题 快速腐蚀时一般不受光照影响,而慢速腐蚀时()影响比较大。
填空题 目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法,一般可分为两大类,(),稳态法(间接法)。
填空题 非平衡载流子的寿命ζ,就是反映()的参数。