判断题
NMOS源漏城需进行N+型掺杂。
正确
判断题 NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
判断题 PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
判断题 集成电路制造需要在告别净化环境下进行,通常净化室内气压应高于净化室外气压。