单项选择题
以下关于MOS管的说法正确的是（）
A.MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电B.MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电C.MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电D.MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电
单项选择题 关于MOS电容，以下说法正确的是（）
单项选择题 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则（）
单项选择题 一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中，（）
