单项选择题 一般所说的电子崩，往往是指电子崩区域，电子崩头的电荷密度远远大于崩的中部和崩的尾部，且（）集中在崩头。

单项选择题 试验表明，击穿通道是局限在狭窄的（）形通道中，且有分支，说明放电过程与局部条件有关，有偶然因素。

单项选择题 当外加（）很高，达到间隙的击穿场强时，电子崩的发展形成流注，实现击穿。