判断题
有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数,两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
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判断题 离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶,靶材料可以是晶体,也可以是非晶体,非晶靶也称为无定形靶。
判断题 热扩散掺杂的工艺可以一步实现。
判断题 替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。