问答题
试说明氧化层在硅工艺中的四种主要用途及主要原因，并举例说明各种用途的主要目的。
掺杂阻挡层；器件保护层；表面钝化层；电学隔离层；器件介质层。选择扩散的掩蔽层：选择扩散从而实现在特定的区域里......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
问答题 列出氧化硅的五种主要物理参数，并说明实际中如何测试氧化层厚度。
问答题 试说明热氧化反应为什么发生在Si—SiO2界面上，以及这种反应机制有何好处？
问答题 氧化工艺产生的SiO2为何种类型？并说明其结构对其强度和密度的影响。
