多项选择题
为减少自掺杂现象，可以采取的措施有（）
A.衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖B.用两步外延法C.低压外延法D.降低外延生长温度
多项选择题 铝硅合金通常会出现哪些失效现象（）
多项选择题 集成电路中所选金属化材料的特点有（）
多项选择题 PVD的主要用途（）
