问答题
叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
去除氮化硅使用热磷酸进行湿法化学剥离掉的。这种酸槽一般始终维持在160°C左右并对露出的氧化硅具有所希望的高选择......
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问答题 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
问答题 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率?
问答题 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。