单项选择题
以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是()。
A.过饱和会形成氧沉淀,影响硅晶体的电学性质B.主要来源于坩埚的污染C.是直拉硅中浓度最高的杂质D.对于硅晶体而言完全是有害杂质,需要去除
单项选择题 以下对于直拉生长描述错误的是()。
单项选择题 在直拉硅生长过程中,熔体出现对流,以下对于对流的描述错误的是()。
单项选择题 不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有()。