判断题
由于电力MOSFET靠多子导电，不存在少子储存效应，因此其开关过程非常迅速。
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多项选择题 对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是（）
单项选择题 下列不属于交流电力电子开关特点的是（）
单项选择题 SVPWM调制实现过程中，以下不属于其生成步骤的是（）
