问答题 硅突变pn结NA=5×1018cm-3，ND=1.5×1016cm-3，设pn结击穿时的最大电场为Ec=5×105V/cm，计算pn结的击穿电压。

问答题 硅pn结的杂质浓度，计算pn结的反向击穿电压，如果要使其反向电压提高到300V，n侧的电阻率应为多少？

问答题 根据理想的pn结电流电压方程，计算反向电流等于反向饱和电流的70%时的反偏电压值。