单项选择题
以下对于GaN描述错误的是（）。
A.可以制备成高频和大功率器件B.是宽禁带半导体，可以生长在SiC上C.高载流子迁移率D.霍尔迁移率随着温度的增加而增加
单项选择题 以下对于液态密封法生长GaAs描述错误的是（）。
单项选择题 以下对于GaAs描述错误的是（）。
单项选择题 以下对于GaAs材料描述错误的是（）。
