单项选择题
以下对于GaAs材料描述错误的是（）。
A.电子迁移率高，适合做高频器件B.带隙大可以做高温器件C.晶体结构为纤锌矿结构D.是直接带隙，光电转换效率高
单项选择题 以下对于非晶硅薄膜描述错误的是（）。
单项选择题 以下不是外延硅的主要缺陷（）。
单项选择题 以下对于硅外延生长描述不正确的是（）。
